MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTBGS1D5N06C, VDSS 60 V, ID 267 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 221-6700
- Referência do fabricante:
- NTBGS1D5N06C
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 221-6700
- Referência do fabricante:
- NTBGS1D5N06C
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 267A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | NTBGS1D | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.55mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 211W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 78.6nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 10.2mm | |
| Anchura | 4.7 mm | |
| Altura | 15.7mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 267A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie NTBGS1D | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.55mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 211W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 78.6nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 10.2mm | ||
Anchura 4.7 mm | ||
Altura 15.7mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El 60V de on Semiconductor de MOSFET de potencia utiliza 267A de corriente de drenaje con un canal N único de−. Tiene menos ruido de conmutación/EMI y minimiza las pérdidas de conducción.
Baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción
Baja capacitancia para minimizar las pérdidas de controlador
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