MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7344
- Referência do fabricante:
- AUIRFP4110
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 220-7344
- Referência do fabricante:
- AUIRFP4110
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 150nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 370W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 20.7 mm | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 5.31mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 150nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 370W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 20.7 mm | ||
Longitud 15.87mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 5.31mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
La Infineon AUIRFP4110 está diseñada específicamente para aplicaciones de automoción. Esta MOSFET de potencia HEXFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetida mejorado. Estas características se combinan para convertir este diseño en un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en aplicaciones de automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.
Tecnología Advanced Process
Resistencia de conexión ultrabaja
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Conmutación rápida
Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
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