MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon AUIRF1404STRL, VDSS 40 V, ID 162 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7341
- Referência do fabricante:
- AUIRF1404STRL
- Fabricante:
- Infineon
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 162A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 160nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Anchura | 9.65 mm | |
| Altura | 4.83mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 162A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 160nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Anchura 9.65 mm | ||
Altura 4.83mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
La Infineon AUIRF1404STRL está diseñada específicamente para aplicaciones de automoción, esta línea. Tiene un diseño planar de MOSFET de potencia HEXFET que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr baja resistencia de conexión por área de silicio. Este beneficio combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por los que se conoce a los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.
Tecnología planar Advanced
Clasificación DV/DT dinámica
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Conmutación rápida
Avalancha total nominal
Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
Sin plomo, de conformidad con RoHS
Homologado para automoción
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