MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP65R225C7XKSA1, VDSS 700 V, ID 41 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 219-6007
- Referência do fabricante:
- IPP65R225C7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 219-6007
- Referência do fabricante:
- IPP65R225C7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 41A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 225mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 63W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 20nC | |
| Altura | 4.57mm | |
| Anchura | 15.95 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 41A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Serie CoolMOS | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 225mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 63W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20nC | ||
Altura 4.57mm | ||
Anchura 15.95 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.36mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie de MOSFET de superunión CoolMOS C7 de Infineon es un revolucionario paso adelante en tecnología, proporcionando el encapsulado/RDS(on) más bajo del mundo y, gracias a sus bajas pérdidas de conmutación, mejoras de eficiencia en todo el rango de carga.
Margen de seguridad mejorado y adecuado para aplicaciones de inversor solar y SMPS
Encapsulado/pérdidas de conducción más bajas
Pérdidas de conmutación bajas
Mejor eficiencia de carga ligera
Aumento de la densidad de potencia
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