MOSFET STMicroelectronics SCTH70N120G2V-7, VDSS 1200 V, ID 90 A, H2PAK-7 de 7 pines, 1
- Código RS:
- 219-4224P
- Referência do fabricante:
- SCTH70N120G2V-7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 219-4224P
- Referência do fabricante:
- SCTH70N120G2V-7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 90A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | H2PAK-7 | |
| Serie | SCTH70N | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.21Ω | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 90A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado H2PAK-7 | ||
Serie SCTH70N | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.21Ω | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MOSFET Sic avanzada e innovadora de 2a generación de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión notablemente baja por área de unidad y un muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de la unión.
Capacidad de temperatura de conexión de funcionamiento muy alta (TJ = 175 °C)
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Carga de puerta y capacitancia de entrada extremadamente bajas