MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 128 A, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 218-3117
- Referência do fabricante:
- IRFS3307ZTRRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 218-3117
- Referência do fabricante:
- IRFS3307ZTRRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 128A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.8mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 110nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 230W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 9.65mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Anchura | 4.83 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 128A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.8mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 110nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 230W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 9.65mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Anchura 4.83 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon HEXFET serie de MOSFET de potencia de canal N sencillo integrado con encapsulado de tipo D2PAK (TO-263).
Capacitancia completamente caracterizada y SOA de avalancha
Diodo de cuerpo DV/dt y capacidad di/dt mejorados
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