MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPW60R017C7XKSA1, VDSS 600 V, ID 109 A, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 218-3085
- Referência do fabricante:
- IPW60R017C7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 218-3085
- Referência do fabricante:
- IPW60R017C7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 109A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS C7 | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 17mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 240nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 446W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 21.1mm | |
| Anchura | 5.21 mm | |
| Longitud | 16.13mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 109A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie 600V CoolMOS C7 | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 17mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 240nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 446W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 21.1mm | ||
Anchura 5.21 mm | ||
Longitud 16.13mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon de potencia de canal N serie CoolMOS™ 600V. CoolMOS™ C7 es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies.
Adecuado para conmutación dura y suave (PFC y LLC de alto rendimiento)
Mayor resistencia de mosfet dv/dt a 120V/ns
Frecuencia de conmutación aumentada
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