MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPU60R2K1CEAKMA1, VDSS 600 V, ID 3.7 A, IPAK de 3 pines
- Código RS:
- 218-3082
- Referência do fabricante:
- IPU60R2K1CEAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 218-3082
- Referência do fabricante:
- IPU60R2K1CEAKMA1
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | IPAK | |
| Serie | 600V CoolMOS CE | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.1Ω | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 22W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 2.41 mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 6.22mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado IPAK | ||
Serie 600V CoolMOS CE | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.1Ω | ||
Disipación de potencia máxima Pd 22W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 2.41 mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 6.22mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon 600V CoolMOS™ serie CE de MOSFET de potencia de canal N. La serie CoolMOS™ CE proporciona todas las ventajas de un MOSFET SuperJunction de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y ofrece la mejor relación de rendimiento de reducción de costes disponible en el mercado. Este MOSFET se utiliza en etapas PFC, etapas PWM de conmutación dura y etapas de conmutación resonante.
Resistencia a conmutación muy alta
Fácil de usar/conducir
Chapado sin plomo, compuesto moldeado sin halógenos
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