MOSFET, N-Canal Infineon IPP60R280CFD7XKSA1, VDSS 600 V, ID 9 A, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 218-3069
- Referência do fabricante:
- IPP60R280CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 218-3069
- Referência do fabricante:
- IPP60R280CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS CFD7 | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 280mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 52W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 9.45mm | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Anchura | 4.57mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie 600V CoolMOS CFD7 | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 280mΩ | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 52W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 9.45mm | ||
Longitud 10.36mm | ||
Anchura 4.57mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon de potencia de canal N serie 600V CoolMOS™ CFD7. El CoolMOS™ CFD7 se suministra con carga de puerta reducida (QG), comportamiento de desconexión mejorado y una carga de recuperación inversa (Qrr) de hasta un 69% inferior en comparación con la competencia, así como el menor tiempo de recuperación inversa (trr) del mercado.
Diodo de cuerpo ultrarrápido
Carga de puerta baja
La mejor carga de recuperación inversa (Qrr) de su clase
Diodo inverso de MOSFET DV/dt y resistencia de dif/dt mejorados
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