MOSFET, N-Canal Infineon IPD50N06S4L12ATMA2, VDSS 60 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*

13,24 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 5540 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
20 +0,662 €13,24 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
218-3045
Referência do fabricante:
IPD50N06S4L12ATMA2
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-252

Serie

OptiMOS-T2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

30nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

50W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Anchura

6.22mm

Altura

2.41mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de la serie OptiMOS-T2 de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V, corriente de drenaje continua máxima de 50 A - IPD50N06S4L12ATMA2


Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de 60 V diseñado para conmutación de alta corriente en entornos exigentes. Funciona en un amplio rango de temperatura ambiente y está diseñado para montajes en superficie donde se requiere una conducción eficiente y un embalaje compacto.

Características y ventajas:


• La baja resistencia de encendido de 12 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La corriente de drenaje continua máxima de 50 A admite cargas pesadas
• La capacidad de disipación de potencia de 50 W gestiona el estrés térmico
• La carga de puerta de 30 nC permite transiciones de conmutación más rápidas
• La potencia nominal de puerta de 16 V permite márgenes de accionamiento de puerta robustos
• La certificación AEC-Q101 garantiza la idoneidad para uso en automoción

Aplicaciones


• Apto para convertidores dc-dc en electrónica de automoción
• Ideal para la conmutación de potencia en sistemas auxiliares de tracción
• Se utiliza para etapas de controlador de motor de alta corriente
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y circuitos de protección
• Adecuado para módulos de alimentación de montaje en superficie en placas compactas

¿Cuáles son los límites de tensión del dispositivo para la drenaje y la puerta?


El drenaje a la fuente resiste hasta 60 V, mientras que la puerta a la fuente tiene una tensión nominal de 16 V.

¿Cómo soporta el dispositivo temperaturas ambiente extremas?


Está especificado para funcionar hasta -55 °C y hasta 175 °C en entornos térmicos variados.

¿Qué encapsulado y forma de montaje utiliza para el montaje de PCB?


Se suministra en un encapsulado TO-252 diseñado para montaje en superficie.

¿Qué tipo y modo de canal determinan su comportamiento de conducción?


Utiliza una estructura de canal N configurada en modo de mejora para una conmutación controlada.

¿Qué consideraciones de huella física afectan al diseño térmico del diseño?


Las dimensiones del encapsulado son compactas con una altura de 2,41 mm, una longitud de 6,73 mm y una anchura de 6,22 mm para facilitar una colocación densa de la placa.

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.