MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD135N08N3GATMA1, VDSS 80 V, ID 45 A, N, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
218-3041
Referência do fabricante:
IPD135N08N3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

45A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

TO-252

Serie

OptiMOS-TM3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13.5mΩ

Modo de canal

N

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

79W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.73mm

Anchura

6.22 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.41mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon OptiMOS™ de potencia de canal N. OptiMOS™ es el líder del mercado en soluciones altamente eficientes para la generación de energía (por ejemplo, un micro inversor solar), fuente de alimentación (por ejemplo, servidor y telecomunicaciones) y consumo de energía (por ejemplo, vehículo eléctrico).

Canal N, nivel normal

100 % a prueba de avalancha

Chapado sin plomo

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