MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD135N08N3GATMA1, VDSS 80 V, ID 45 A, N, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 218-3041
- Referência do fabricante:
- IPD135N08N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*
19,28 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 8180 unidade(s) para enviar a partir do dia 18 de maio de 2026
- Mais 2500 unidade(s) para enviar a partir do dia 29 de julho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,964 € | 19,28 € |
| 100 - 180 | 0,916 € | 18,32 € |
| 200 - 480 | 0,877 € | 17,54 € |
| 500 - 980 | 0,838 € | 16,76 € |
| 1000 + | 0,781 € | 15,62 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 218-3041
- Referência do fabricante:
- IPD135N08N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 45A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS-TM3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13.5mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 79W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 2.41mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 45A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie OptiMOS-TM3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13.5mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 79W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 2.41mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon OptiMOS™ de potencia de canal N. OptiMOS™ es el líder del mercado en soluciones altamente eficientes para la generación de energía (por ejemplo, un micro inversor solar), fuente de alimentación (por ejemplo, servidor y telecomunicaciones) y consumo de energía (por ejemplo, vehículo eléctrico).
Canal N, nivel normal
100 % a prueba de avalancha
Chapado sin plomo
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 45 A, N, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 45 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 45 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD053N06NATMA1, VDSS 60 V, ID 45 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR2607ZTRPBF, VDSS 75 V, ID 45 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 98 A, N, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD055N08NF2SATMA1, VDSS 80 V, ID 98 A, N, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-252