MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD096N08N3GATMA1, VDSS 80 V, ID 73 A, N, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 218-3038
- Referência do fabricante:
- IPD096N08N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 15 unidades)*
12,84 €
Adicione 105 unidades para obter entrega gratuita
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 01 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,856 € | 12,84 € |
| 75 - 135 | 0,813 € | 12,20 € |
| 150 - 360 | 0,779 € | 11,69 € |
| 375 - 735 | 0,745 € | 11,18 € |
| 750 + | 0,693 € | 10,40 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 218-3038
- Referência do fabricante:
- IPD096N08N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 73A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9.6mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 26nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 2.41mm | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 73A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9.6mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 26nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 2.41mm | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon MOSFET de potencia de canal N. Este MOSFET es ideal para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia.
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Canal N, nivel normal
100 % a prueba de avalancha
Chapado sin plomo; En conformidad con RoHS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 73 A, N, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 98 A, N, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD055N08NF2SATMA1, VDSS 80 V, ID 98 A, N, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 73 A, N, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -40 V, ID -73 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR3607TRPBF, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC059N04LSGATMA1, VDSS 40 V, ID 73 A, N, TDSON de 8 pines