MOSFET, N-Canal Infineon IPA60R1K0CEXKSA1, VDSS 600 V, ID 6.8 A, N, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 218-3001
- Referência do fabricante:
- IPA60R1K0CEXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 218-3001
- Referência do fabricante:
- IPA60R1K0CEXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | 600V CoolMOS CE | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1Ω | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 61W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 29.75mm | |
| Altura | 16.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie 600V CoolMOS CE | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1Ω | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 61W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 29.75mm | ||
Altura 16.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon 600V CoolMOS™ serie CE de MOSFET de potencia de canal N. CoolMOS™ es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera por Infineon Technologies . Se utiliza en etapas PFC, etapas PWM de conmutación dura y etapas de conmutación resonantes, por ejemplo PC Silverbox, adaptador, TV LCD y PDP e iluminación interior.
Resistencia a conmutación muy alta
Fácil de usar/conducir
Chapado sin plomo, compuesto moldeado sin halógenos
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