MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 50 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- Código RS:
- 217-2590
- Referência do fabricante:
- IPZ60R040C7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 217-2590
- Referência do fabricante:
- IPZ60R040C7XKSA1
- Fabricante:
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 40mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 107nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 227W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 41.42mm | |
| Anchura | 5.21 mm | |
| Longitud | 16.13mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 40mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 107nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 227W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 41.42mm | ||
Anchura 5.21 mm | ||
Longitud 16.13mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie MOSFET Infineon CoolMOS™ C7 Superjunction (SJ) 600V CoolMOS™ ofrece una reducción de ∼50 % en pérdidas de desconexión (E OSS ) en comparación con CoolMOS™ CP, ofreciendo un excelente nivel de rendimiento en PFC, TTF y otras topologías de conmutación dura. El IPL60R185C7 es también el complemento perfecto para diseños de cargador de alta densidad de potencia. Las aplicaciones de eficiencia y TCO (coste total de propiedad) como los hipercentros de datos y los rectificadores de telecomunicaciones de alta eficiencia (>96%) se benefician de la mayor eficiencia que ofrece CoolMOS™ C7. Se pueden conseguir ganancias del 0,3 % al 0,7 % en topologías PFC y del 0,1 % en LLC. En el caso de una fuente de alimentación de servidor de 2,5 kW, por ejemplo, el uso de MOSFET CoolMOS™ C7 SJ 600V en un encapsulado TO-247 4pin puede dar lugar a reducciones de coste de energía de ∼10% para pérdida de energía de fuente de alimentación.
Parámetros de pérdida de conmutación reducida como Q G, C oss, E oss
Mejor factor de mérito de su clase Q G*R DS(on)
Frecuencia de conmutación aumentada
Mejor R (on)*A del mundo
Diodo de cuerpo resistente
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