MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPS70R360P7SAKMA1, VDSS 700 V, ID 12.5 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2581
- Referência do fabricante:
- IPS70R360P7SAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 217-2581
- Referência do fabricante:
- IPS70R360P7SAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | TO-251 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 360mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 53W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16.4nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 9.82mm | |
| Anchura | 2.4 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado TO-251 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 360mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 53W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16.4nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 9.82mm | ||
Anchura 2.4 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La última CoolMOS™ P7 es una plataforma optimizada diseñada para aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo como cargador, adaptador, iluminación, TV, etc. la nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET Super Junction de conmutación rápida, combinado con una excelente relación precio/rendimiento y un nivel de facilidad de uso de art. La tecnología cumple los más altos estándares de eficiencia y es compatible con alta densidad de potencia, lo que permite a los clientes ir hacia diseños muy compactos.
Pérdidas extremadamente bajas debido al bajo FOMRDS(on)*QG y RDS(on)*Eoss
Excelente comportamiento térmico
Diodo de protección ESD integrado
Pérdidas de conmutación bajas (Eoss)
Validación del producto conforme Estándar JEDEC
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