MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD60R360P7SAUMA1, VDSS 600 V, ID 9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
217-2524
Número do artigo Distrelec:
304-39-407
Referência do fabricante:
IPD60R360P7SAUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-252

Serie

IPD

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

360mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Disipación de potencia máxima Pd

41W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.41mm

Longitud

6.73mm

Anchura

6.22 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 SuperJunction (SJ) 600V es el sucesor de la serie 600V CoolMOS™ P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor R onxA de su clase y la carga de puerta (Q G) inherentemente baja de la plataforma de generación CoolMOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.

El 600V P7 permite un excelente FOM R DS(on)XE OSS y R DS(on)xQ G.

Resistencia ESD de ≥ 2kV (HBM clase 2)

Resistencia de puerta R G integrada

Diodo de cuerpo resistente

Amplia gama de encapsulados de montaje en superficie y orificio pasante

Hay disponibles piezas de grado estándar e industrial

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