MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor TSM220NB06LCR, VDSS 60 V, ID 35 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- Código RS:
- 216-9704
- Referência do fabricante:
- TSM220NB06LCR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 25 unidades)*
27,925 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
A ser descontinuado
- Última(s) 1625 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 1,117 € | 27,93 € |
| 50 - 75 | 1,096 € | 27,40 € |
| 100 - 225 | 1,006 € | 25,15 € |
| 250 - 975 | 0,987 € | 24,68 € |
| 1000 + | 0,917 € | 22,93 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 216-9704
- Referência do fabricante:
- TSM220NB06LCR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Taiwan Semiconductor | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 35A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 22mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 68W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS, WEEE | |
| Altura | 1.1mm | |
| Longitud | 6.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Taiwan Semiconductor | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 35A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 68W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS, WEEE | ||
Altura 1.1mm | ||
Longitud 6.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
Baja RDS(ON) para minimizar pérdidas conductivas Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida Probado 100 % para UIS y RG
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 60 V, ID 35 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor TSM220NB06CR, VDSS 60 V, ID 35 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 60 V, ID 104 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 30 V, ID 73 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 30 V, ID 80 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 80 V, ID 67 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 40 V, ID 644 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 150 V, ID 24 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines