MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor TSM150NB04CR, VDSS 40 V, ID 41 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- Código RS:
- 216-9692
- Referência do fabricante:
- TSM150NB04CR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
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- Código RS:
- 216-9692
- Referência do fabricante:
- TSM150NB04CR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Taiwan Semiconductor | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 41A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | TSM025 | |
| Encapsulado | PDFN56 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 15mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 56W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | WEEE, RoHS, IEC | |
| Altura | 1.1mm | |
| Longitud | 6.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Taiwan Semiconductor | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 41A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie TSM025 | ||
Encapsulado PDFN56 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 56W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares WEEE, RoHS, IEC | ||
Altura 1.1mm | ||
Longitud 6.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
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