MOSFET, N-Canal Taiwan Semiconductor TSM110NB04DCR, VDSS 40 V, ID 48 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- Código RS:
- 216-9683
- Referência do fabricante:
- TSM110NB04DCR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
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- TSM110NB04DCR
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Taiwan Semiconductor | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 48A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 48W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.1mm | |
| Longitud | 6.2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Taiwan Semiconductor | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 48A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 48W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.1mm | ||
Longitud 6.2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
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