MOSFET, N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 60 V, ID 107 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- Código RS:
- 216-9660
- Referência do fabricante:
- TSM048NB06LCR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
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- Código RS:
- 216-9660
- Referência do fabricante:
- TSM048NB06LCR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Taiwan Semiconductor | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 107A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | TSM025 | |
| Encapsulado | PDFN56 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 136W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2011/65/EU and WEEE 2002/96/EC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Taiwan Semiconductor | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 107A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie TSM025 | ||
Encapsulado PDFN56 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 136W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2011/65/EU and WEEE 2002/96/EC | ||
Estándar de automoción No | ||
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
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