MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor, VDSS 60 V, ID 107 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- Código RS:
- 216-9660
- Referência do fabricante:
- TSM048NB06LCR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
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- Código RS:
- 216-9660
- Referência do fabricante:
- TSM048NB06LCR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Taiwan Semiconductor | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 107A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 136W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2011/65/EU and WEEE 2002/96/EC | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Taiwan Semiconductor | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 107A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 136W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2011/65/EU and WEEE 2002/96/EC | ||
Estándar de automoción No | ||
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
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