MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 6 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*

13,85 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Encomendas inferiores a 80,00 € (IVA exc.) têm um custo de 7,00 €.
Fora de stock temporariamente
  • Envio de 50 unidade(s) a partir do dia 23 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Tubo*
50 - 500,277 €13,85 €
100 - 2000,227 €11,35 €
250 - 4500,213 €10,65 €
500 - 12000,197 €9,85 €
1250 +0,183 €9,15 €

*preço indicativo

Código RS:
215-2491
Referência do fabricante:
IPAN70R900P7SXKSA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

TO-220

Serie

700V CoolMOS P7

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

900mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

17.9W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.8nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La serie MOSFET Infineon 700V Cool MOS™ P7 de súper unión se dirige al mercado de SMPS de baja potencia, como cargadores de teléfono móvil o adaptadores de ordenador portátil, ofreciendo ganancias de rendimiento fundamentales en comparación con las tecnologías de súper unión utilizadas actualmente. La tecnología cumple los más altos estándares de eficiencia y es compatible con alta densidad de potencia, lo que permite a los clientes ir hacia diseños muy compactos. La última CoolMOS™P7 es una plataforma optimizada diseñada para aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo como cargador, adaptador, iluminación, TV, etc.

Pérdidas extremadamente bajas debido al bajo FOMRDS(on)*QG y RDS(on)*Eoss

Excelente comportamiento térmico

Diodo de protección ESD integrado

Pérdidas de conmutación bajas (Eoss)

Links relacionados

Recently viewed