MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 10 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 215-2481
- Referência do fabricante:
- IPA65R125C7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 215-2481
- Referência do fabricante:
- IPA65R125C7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 125mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 32W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 35nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 125mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 32W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie de MOSFET de súper unión Cool MOS™ C7 de Infineon es un paso adelante revolucionario en tecnología, que proporciona el RDS(on)/encapsulado más bajo del mundo y, gracias a sus bajas pérdidas de conmutación, mejoras de eficiencia en el rango de carga completa. La gama de productos proporciona todas las ventajas de los MOSFET de súper unión de conmutación rápida que ofrecen mejor eficiencia, carga de puerta reducida, fácil implementación y excelente fiabilidad.
Margen de seguridad mejorado y adecuado para SMPS y solar aplicaciones de inversor
Pérdidas de conducción/encapsulado más bajas
Pérdidas de conmutación bajas
Mejor eficiencia de carga ligera
Aumento de la densidad de potencia
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