MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ146N10LS5ATMA1, VDSS 100 V, ID 40 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 215-2473
- Referência do fabricante:
- BSZ146N10LS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*
18,20 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 1400 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | 0,91 € | 18,20 € |
| 40 - 80 | 0,864 € | 17,28 € |
| 100 - 180 | 0,827 € | 16,54 € |
| 200 - 480 | 0,792 € | 15,84 € |
| 500 + | 0,737 € | 14,74 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 215-2473
- Referência do fabricante:
- BSZ146N10LS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 14.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 52W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 14.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 52W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El nivel lógico de MOSFET de potencia OptiMOS™ 5 de Infineon es muy adecuado para aplicaciones de carga inalámbrica, adaptador y telecomunicaciones. La carga de puerta baja (Q g) de los dispositivos reduce las pérdidas de conmutación sin comprometer las pérdidas de conducción. Las cifras de mérito mejoradas permiten operaciones con altas frecuencias de conmutación. Además, el accionamiento de nivel lógico proporciona una tensión de umbral de puerta baja (V GS(the)) que permite accionar los MOSFET en 5V y directamente desde microcontroladores.
R DS(on) bajo en encapsulado pequeño
Carga de puerta baja
Menor carga de salida
Compatibilidad de nivel lógico
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 40 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 40 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPZ40N04S55R4ATMA1, VDSS 40 V, ID 40 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPZ40N04S58R4ATMA1, VDSS 40 V, ID 40 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 40 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 20 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 105 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IAUZ40N10S5N130ATMA1, VDSS 100 V, ID 40 A, Mejora, PQFN de 8 pines