MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AUIRF7640S2TR, VDSS 60 V, ID 21 A, Mejora, DirectFET de 6 pines

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Código RS:
215-2448
Referência do fabricante:
AUIRF7640S2TR
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

21A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

DirectFET

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

36mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.3nC

Disipación de potencia máxima Pd

30W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La serie Infineon Automotive DirectFET® Power MOSFET tiene una tensión de fuente de drenaje máximo 60V con una corriente de drenaje continuo máxima 20A en un encapsulado DirectFET pequeño. El AUIRF7640S2TR/TR1 combina la última tecnología de silicio MOSFET de potencia HEXFET® de automoción con la Advanced DirectFET® Packaging Platform para producir una pieza de primera clase para aplicaciones de amplificador de audio de clase D de automoción. El encapsulado DirectFET® es compatible con geometrías de diseño existentes utilizadas en aplicaciones de alimentación, equipos de montaje de PCB y técnicas de fase de vapor, infrarrojos o soldadura por convección, cuando se sigue la nota DE aplicación AN-1035 con respecto a los métodos y procesos de fabricación. El encapsulado DirectFET® permite refrigeración de doble cara para maximizar la transferencia térmica en sistemas de alimentación de automoción.

Tecnología de procesos avanzados

Optimizado para amplificador de audio de clase D y conmutación de alta velocidad Aplicaciones

Baja RDS(on) para mejorar la eficiencia

Capacidad de avalancha repetitiva para solidez y fiabilidad

Sin plomo, RoHS y sin halógenos

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