MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 8.4 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- Código RS:
- 214-9102
- Referência do fabricante:
- IPS60R800CEAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 tubo de 75 unidades)*
43,80 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 1200 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 75 + | 0,584 € | 43,80 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 214-9102
- Referência do fabricante:
- IPS60R800CEAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Encapsulado | TO-251 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 800mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17.2nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 74W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 2.4 mm | |
| Altura | 6.22mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Encapsulado TO-251 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 800mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17.2nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 74W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 2.4 mm | ||
Altura 6.22mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. CoolMOS CE es una plataforma optimizada para el rendimiento de precios que permite centrarse en aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo e iluminación al seguir cumpliendo los estándares de eficiencia más altos. La nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET Super Junction de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y ofrece la mejor relación de rendimiento rentable disponible en el mercado.
Fácil de usar/conducir
Resistencia a conmutación muy alta
Apto para aplicaciones de grado estándar
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPS60R800CEAKMA1, VDSS 600 V, ID 8.4 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 2.6 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPS60R3K4CEAKMA1, VDSS 600 V, ID 2.6 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 8.4 A, N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPAN60R800CEXKSA1, VDSS 600 V, ID 8.4 A, N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 5 A, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 8.4 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 8.4 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
