MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP60R160P6XKSA1, VDSS 600 V, ID 23.8 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 214-9093
- Referência do fabricante:
- IPP60R160P6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 23.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 160mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 176W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 44nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Altura | 9.45mm | |
| Anchura | 4.57 mm | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 23.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 160mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 176W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 44nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Altura 9.45mm | ||
Anchura 4.57 mm | ||
Longitud 10.36mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie CoolMOS P6 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con una innovación de alta calidad. Los dispositivos ofrecidos proporcionan todas las ventajas de un MOSFET SJ de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso. Las pérdidas de conducción y conmutación extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, más compactas, más ligeras y más frías.
Fácil de usar/conducir
Apto para aplicaciones industriales conforme a JEDEC (J-STD20 Y JESD22)
Resistencia a conmutación muy alta
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