MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 8 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
214-9001
Referência do fabricante:
IPA65R190C7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-220

Serie

CoolMOS C7

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

190mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie CoolMOS C7 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con una innovación de alta calidad. La gama de productos proporciona todas las ventajas de los MOSFET de súper unión de conmutación rápida que ofrecen mejor eficiencia, carga de puerta reducida, fácil implementación y excelente fiabilidad.

Fácil de usar/conducir

Ofrece ahorro en el coste/tamaño del sistema debido a la reducción requisitos de refrigeración

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