MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 165 A, Mejora, HSOG de 8 pines
- Código RS:
- 214-8991
- Referência do fabricante:
- IAUS165N08S5N029ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
- Código RS:
- 214-8991
- Referência do fabricante:
- IAUS165N08S5N029ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 165A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | HSOG | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 165A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado HSOG | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
La gama Infineon de MOSFET OptiMOS-5 tiene una gama de transistores MOSFET de bajo consumo. Los productos OptiMOS están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
Prueba de avalancha al 100 %
Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IAUS165N08S5N029ATMA1, VDSS 80 V, ID 165 A, Mejora, HSOG de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 408 A, Mejora, HSOG de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 300 A, Mejora, HSOG de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPTG011N08NM5ATMA1, VDSS 80 V, ID 408 A, Mejora, HSOG de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IAUS300N08S5N012ATMA1, VDSS 80 V, ID 300 A, Mejora, HSOG de 8 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 240 A, Mejora, HSOG de 8 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IAUS240N08S5N019ATMA1, VDSS 80 V, ID 240 A, Mejora, HSOG de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IAUMN08S5N013GAUMA1, VDSS 80 V, ID 350 A, Mejora, PG-HSOG-4-1 de 4 pines