MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AUIRL7736M2TR, VDSS 40 V, ID 112 A, Mejora, DirectFET de 9 pines
- Código RS:
- 214-8965
- Referência do fabricante:
- AUIRL7736M2TR
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
18,73 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 4800 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,746 € | 18,73 € |
| 25 - 45 | 3,222 € | 16,11 € |
| 50 - 120 | 3,032 € | 15,16 € |
| 125 - 245 | 2,808 € | 14,04 € |
| 250 + | 2,622 € | 13,11 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 214-8965
- Referência do fabricante:
- AUIRL7736M2TR
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 112A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | DirectFET | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 9 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 52nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 63W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.05 mm | |
| Altura | 0.74mm | |
| Longitud | 6.35mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 112A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado DirectFET | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 9 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 52nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 63W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.05 mm | ||
Altura 0.74mm | ||
Longitud 6.35mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Infineon combina la última tecnología de MOSFET de potencia HEXFET de automoción con la Advanced plataforma de encapsulado para lograr un rendimiento excepcional en un encapsulado que tiene el tamaño de UN SO-8 o 5X6mm PQFN y perfil de solo 0,7 mm. El encapsulado es compatible con geometrías de diseño existentes utilizadas en aplicaciones de alimentación, equipos de montaje de PCB y fase de vapor, técnicas de soldadura por convección o infrarrojos, etc. el encapsulado permite refrigeración de doble cara para maximizar la transferencia térmica en sistemas de alimentación de automoción.
Tecnología de procesos avanzados
Nivel de lógica
Alta densidad de potencia
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 112 A, Mejora, DirectFET de 9 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 68 A, Mejora, DirectFET de 9 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AUIRF7648M2TR, VDSS 60 V, ID 68 A, Mejora, DirectFET de 9 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 545 A, Mejora, DirectFET de 15 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 81 A, Mejora, DirectFET de 2 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 21 A, Mejora, DirectFET de 6 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 150 A, Mejora, DirectFET de 2 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 18 A, Mejora, DirectFET de 7 pines