MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTPF450N80S3Z, VDSS 800 V, ID 11 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 214-8915
- Referência do fabricante:
- NTPF450N80S3Z
- Fabricante:
- onsemi
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | NTPF | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 450mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19.3nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 29.5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 4.83mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 15.75 mm | |
| Longitud | 10.53mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie NTPF | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 450mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19.3nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 29.5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 4.83mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 15.75 mm | ||
Longitud 10.53mm | ||
Estándar de automoción No | ||
on Semiconductor es una familia de MOSFET de alto rendimiento que ofrece una tensión de ruptura de 800 V. Está optimizado para el interruptor principal del convertidor de retorno, permite menores pérdidas de conmutación y temperatura de carcasa sin sacrificar el rendimiento EMI.
Capacidad ESD mejorada con diodo zener
Compatible con RoHS
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