MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTPF450N80S3Z, VDSS 800 V, ID 11 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 214-8915
- Referência do fabricante:
- NTPF450N80S3Z
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 214-8915
- Referência do fabricante:
- NTPF450N80S3Z
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | NTPF | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 450mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 29.5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19.3nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 10.53mm | |
| Anchura | 15.75mm | |
| Altura | 4.83mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie NTPF | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 450mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 29.5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19.3nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 10.53mm | ||
Anchura 15.75mm | ||
Altura 4.83mm | ||
Estándar de automoción No | ||
on Semiconductor es una familia de MOSFET de alto rendimiento que ofrece una tensión de ruptura de 800 V. Está optimizado para el interruptor principal del convertidor de retorno, permite menores pérdidas de conmutación y temperatura de carcasa sin sacrificar el rendimiento EMI.
Capacidad ESD mejorada con diodo zener
Compatible con RoHS
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