MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4403
- Referência do fabricante:
- IPP023N08N5AKSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 tubo de 50 unidades)*
96,50 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 350 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,93 € | 96,50 € |
| 100 - 200 | 1,833 € | 91,65 € |
| 250 + | 1,737 € | 86,85 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 214-4403
- Referência do fabricante:
- IPP023N08N5AKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 133nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 15.93mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.4mm | |
| Longitud | 10.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 133nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 15.93mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.4mm | ||
Longitud 10.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET Infineon OptiMOS 5 es ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona. Requiere menos conexión en paralelo.
Ha reducido las pérdidas de conducción y conmutación
Tiene sobreimpulso de baja tensión
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP023N08N5AKSA1, VDSS 80 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP120N08S403AKSA1, VDSS 80 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP020N08N5AKSA1, VDSS 80 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 120 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP041N12N3GXKSA1, VDSS 120 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines