MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP020N08N5AKSA1, VDSS 80 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4691
- Referência do fabricante:
- IPP020N08N5AKSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
8,05 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 252 unidade(s) para enviar a partir do dia 19 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 4,025 € | 8,05 € |
| 10 - 18 | 3,425 € | 6,85 € |
| 20 - 48 | 3,18 € | 6,36 € |
| 50 - 98 | 2,94 € | 5,88 € |
| 100 + | 2,74 € | 5,48 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 222-4691
- Referência do fabricante:
- IPP020N08N5AKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 178nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 4.57mm | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 15.95 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 178nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 4.57mm | ||
Longitud 10.36mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 15.95 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de Infineon, también conocidos como transistores MOSFET, son los acrónimo de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje
Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS
Resistencia térmica superior probada al 100 % de avalancha
Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-23
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP023N08N5AKSA1, VDSS 80 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP120N08S403AKSA1, VDSS 80 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 120 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 80 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP041N12N3GXKSA1, VDSS 120 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP057N08N3GXKSA1, VDSS 80 V, ID 80 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP052N08N5AKSA1, VDSS 80 V, ID 80 A, Mejora, TO-220 de 3 pines