MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPA041N04NGXKSA1, VDSS 40 V, ID 70 A, N, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4350
- Referência do fabricante:
- IPA041N04NGXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 214-4350
- Referência do fabricante:
- IPA041N04NGXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 70A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.1mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 35W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 4.85mm | |
| Longitud | 10.68mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 70A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.1mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 35W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 4.85mm | ||
Longitud 10.68mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET Infineon OptiMOS 3 dispone no solo de R DS(on) más bajo del sector, sino también de un comportamiento de conmutación perfecto para aplicaciones de conmutación rápida. La tecnología Advanced Thin Wafer ha conseguido un 15 % menos de R DS(on) y un 31 % menos de mérito (R DS(on) x Q g) en comparación con dispositivos alternativos.
No contiene halógenos conforme a IEC61249-2-21
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