MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP048N04NGXKSA1, VDSS 40 V, ID 70 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 165-8112
Referência do fabricante:: IPP048N04NGXKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP048N04NGXKSA1, VDSS 40 V, ID 70 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*

47,10 €

Adicione 150 unidades para obter entrega gratuita

Encomendas inferiores a 80,00 € (IVA exc.) têm um custo de 7,00 €.

Últimas unidades em stock

Última(s) 150 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição

Unidad(es)	Por unidade	Por Tubo*
50 - 50	0,942 €	47,10 €
100 - 200	0,753 €	37,65 €
250 - 450	0,706 €	35,30 €
500 - 950	0,659 €	32,95 €
1000 +	0,612 €	30,60 €

*preço indicativo

Código RS:: 165-8112
Referência do fabricante:: IPP048N04NGXKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	70A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Serie	OptiMOS 3
	Encapsulado	TO-220
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	4.8mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	79W
	Tensión directa Vf	0.89V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	31nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	10.36mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	4.572 mm
	Altura	15.95mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 70A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Serie OptiMOS 3
	Encapsulado TO-220
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.8mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 79W
	Tensión directa Vf 0.89V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 31nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 10.36mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 4.572 mm
	Altura 15.95mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origem):: CN

MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corriente de drenaje continua máxima de 70 A, disipación de potencia máxima de 79 W - IPP048N04NGXKSA1

Este MOSFET está destinado a aplicaciones de potencia de alta eficiencia, actuando como un componente vital en diversos sistemas electrónicos. Garantiza un rendimiento constante en entornos difíciles gracias a su baja resistencia a la conexión y a su gran capacidad de disipación de energía.

Características y ventajas

• Admite hasta 70 A de corriente de drenaje continua

• Tensión de drenaje-fuente máxima de 40 V para una amplia aplicabilidad

• El diseño de modo de mejora único aumenta la eficacia operativa

• La baja resistencia de drenaje-fuente máxima de 4,8 mΩ minimiza la generación de calor

• La capacidad de disipación de potencia de 79 W optimiza la gestión térmica

• Admite oscilaciones de tensión de puerta de -20 V a +20 V para mejorar la versatilidad del accionamiento de puerta

Aplicaciones

• Circuitos de alimentación en sistemas de automatización

• Control del motor en entornos industriales

• Convertidores de potencia para una gestión eficiente de la energía

• Sistemas de energía renovable para una gestión eficaz de la potencia

• Interruptor de alta corriente en electrónica

¿Cuál es el intervalo de temperatura de funcionamiento de este componente?

El rango de temperatura de funcionamiento es de -55 °C a +175 °C, lo que garantiza un funcionamiento eficaz en diversas condiciones.

¿Puede utilizarse en configuraciones paralelas?

Sí, es posible el uso en paralelo para mejorar la gestión de la corriente, siempre que se disponga de una gestión térmica adecuada.

¿Cuáles son los niveles de accionamiento de la puerta recomendados para un rendimiento óptimo?

Para un rendimiento óptimo, se aconseja accionar la puerta entre 10V y 20V, respetando los límites máximos de umbral de puerta.

¿Cómo se gestiona la disipación del calor en las aplicaciones que utilizan este dispositivo?

El uso de un disipador de calor adecuado y la correcta disposición de la placa de circuito impreso permiten gestionar eficazmente la disipación del calor.

MOSFET de potencia OptiMOS™3 de Infineon, hasta 40 V

Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

MOSFET de conmutación rápida para SMPS

Tecnología optimizada para convertidores dc/dc

Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino

Canal N, nivel lógico

Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)

RDS(on) de muy baja resistencia

Chapado sin plomo

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.