MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMTH10H2M5STLW-13, VDSS 100 V, ID 248 A, Mejora, PowerDI1012 de 8 pines
- Código RS:
- 213-9226
- Referência do fabricante:
- DMTH10H2M5STLW-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- 213-9226
- Referência do fabricante:
- DMTH10H2M5STLW-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 248A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | DMTH10H2M5STLW | |
| Encapsulado | PowerDI1012 | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 230.8W | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 124.4nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 9.9mm | |
| Altura | 2.3mm | |
| Anchura | 11.68 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | |
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|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 248A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie DMTH10H2M5STLW | ||
Encapsulado PowerDI1012 | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 230.8W | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 124.4nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 9.9mm | ||
Altura 2.3mm | ||
Anchura 11.68 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | ||
El MOSFET DiodesZetex serie DMTH10H2M5STLW está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión, mantener un rendimiento de conmutación superior que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
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