MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMTH10H2M5STLW-13, VDSS 100 V, ID 248 A, Mejora, PowerDI1012 de 8 pines
- Código RS:
- 213-9226
- Referência do fabricante:
- DMTH10H2M5STLW-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- 213-9226
- Referência do fabricante:
- DMTH10H2M5STLW-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 248A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | DMTH10H2M5STLW | |
| Encapsulado | PowerDI1012 | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 124.4nC | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 230.8W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 2.3mm | |
| Anchura | 11.68 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 9.9mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | |
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|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 248A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie DMTH10H2M5STLW | ||
Encapsulado PowerDI1012 | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 124.4nC | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 230.8W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 2.3mm | ||
Anchura 11.68 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 9.9mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | ||
El MOSFET DiodesZetex serie DMTH10H2M5STLW está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión, mantener un rendimiento de conmutación superior que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
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