MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMN61D9UT-7, VDSS 60 V, ID 380 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 213-9193
- Referência do fabricante:
- DMN61D9UT-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 213-9193
- Referência do fabricante:
- DMN61D9UT-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 380mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | DMN61D9U | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 540mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Anchura | 1.4 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 380mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie DMN61D9U | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 540mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Anchura 1.4 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET DiodesZetex serie DMN61D9U está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión, mantener un rendimiento de conmutación superior que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
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