MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal DMN53D0LDWQ-7, VDSS 50 V, ID 460 mA, US, Mejora de 3 pines, 1, config. Doble
- Código RS:
- 213-9191
- Referência do fabricante:
- DMN53D0LDWQ-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 50 unidades)*
14,15 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
- 5950 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,283 € | 14,15 € |
| 100 - 200 | 0,248 € | 12,40 € |
| 250 - 450 | 0,243 € | 12,15 € |
| 500 - 950 | 0,22 € | 11,00 € |
| 1000 + | 0,198 € | 9,90 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 213-9191
- Referência do fabricante:
- DMN53D0LDWQ-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 460mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 50V | |
| Encapsulado | US | |
| Serie | DMN53D0LDWQ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0016Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 310W | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.95mm | |
| Certificaciones y estándares | J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101 | |
| Anchura | 1.35 mm | |
| Longitud | 2.15mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 460mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 50V | ||
Encapsulado US | ||
Serie DMN53D0LDWQ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0016Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 310W | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.95mm | ||
Certificaciones y estándares J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101 | ||
Anchura 1.35 mm | ||
Longitud 2.15mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
Links relacionados
- MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 50 V, ID 460 mA, US, Mejora de 3 pines, 1, config. Doble
- MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 800 mA, US, Mejora de 6 pines, config. Doble
- MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 1 A, US, Mejora de 6 pines, 1, config. Doble
- MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 217 mA, US, Mejora de 6 pines, config. Doble
- MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 261 mA, US, Mejora de 6 pines, config. Doble
- MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 250 mA, US, Mejora de 6 pines, config. Doble
- MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal 2N7002DWK-7, VDSS 60 V, ID 261 mA, US, Mejora de 6 pines, config. Doble
- MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal DMN66D0LDWQ-7, VDSS 60 V, ID 217 mA, US, Mejora de 6 pines, config. Doble