MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMN31D5UFO-7B, VDSS 30 V, ID 410 mA, Mejora, X2-DFN de 3 pines
- Código RS:
- 213-9189
- Referência do fabricante:
- DMN31D5UFO-7B
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 213-9189
- Referência do fabricante:
- DMN31D5UFO-7B
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 410mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | X2-DFN | |
| Serie | DMN31D5UFO | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.38nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12 V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.38W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 0.45 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 0.65mm | |
| Altura | 0.4mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 410mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado X2-DFN | ||
Serie DMN31D5UFO | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.38nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.38W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 0.45 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 0.65mm | ||
Altura 0.4mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
DiodesZetex serie DMN31D5UFO es un MOSFET de canal N. Se utiliza en interruptor de interfaz de uso general, funciones de gestión de potencia e interruptor analógico.
Puerta con protección contra ESD
Perfil de encapsulado bajo
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