MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 20 V, ID 2.9 A, Mejora, SOT-323 de 3 pines
- Código RS:
- 213-9161
- Referência do fabricante:
- DMN2053UWQ-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 213-9161
- Referência do fabricante:
- DMN2053UWQ-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | DMN2053UW | |
| Encapsulado | SOT-323 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 560mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.7W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.3 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2.15mm | |
| Altura | 1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie DMN2053UW | ||
Encapsulado SOT-323 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 560mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.7W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.6nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.3 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2.15mm | ||
Altura 1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET DiodesZetex serie DMN2053UW está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión, mantener un rendimiento de conmutación superior que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
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