MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 20 V, ID 2.9 A, Mejora, SOT-323 de 3 pines
- Código RS:
- 213-9161
- Referência do fabricante:
- DMN2053UWQ-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 213-9161
- Referência do fabricante:
- DMN2053UWQ-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | DMN2053UW | |
| Encapsulado | SOT-323 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 560mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.7W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 1.3 mm | |
| Longitud | 2.15mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie DMN2053UW | ||
Encapsulado SOT-323 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 560mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.7W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.6nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 1.3 mm | ||
Longitud 2.15mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET DiodesZetex serie DMN2053UW está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión, mantener un rendimiento de conmutación superior que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
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