MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMN10H220LFDF-7, VDSS 100 V, ID 2.2 A, Mejora, UDFN de 6 pines
- Código RS:
- 213-9152
- Referência do fabricante:
- DMN10H220LFDF-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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*preço indicativo
- Código RS:
- 213-9152
- Referência do fabricante:
- DMN10H220LFDF-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | DMN10H220LFDF | |
| Encapsulado | UDFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 225mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.1W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 2.05mm | |
| Altura | 0.63mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie DMN10H220LFDF | ||
Encapsulado UDFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 225mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.1W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 2.05mm | ||
Altura 0.63mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET DiodesZetex serie DMN10H220LFDF está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión, mantener un rendimiento de conmutación superior que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
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