MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMN10H220LFDF-7, VDSS 100 V, ID 2.2 A, Mejora, UDFN de 6 pines
- Código RS:
- 213-9152
- Referência do fabricante:
- DMN10H220LFDF-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- 213-9152
- Referência do fabricante:
- DMN10H220LFDF-7
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- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | UDFN | |
| Serie | DMN10H220LFDF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 225mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.1W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.63mm | |
| Anchura | 2.05 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2.05mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado UDFN | ||
Serie DMN10H220LFDF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 225mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.1W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.63mm | ||
Anchura 2.05 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2.05mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET DiodesZetex serie DMN10H220LFDF está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión, mantener un rendimiento de conmutación superior que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
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