MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 119 A, Mejora, Hip-247 de 4 pines
- Código RS:
- 213-3945P
- Referência do fabricante:
- SCTWA90N65G2V-4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- Código RS:
- 213-3945P
- Referência do fabricante:
- SCTWA90N65G2V-4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 119A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | Hip-247 | |
| Serie | SCTWA90N65G2V-4 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 24mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 656W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 157nC | |
| Tensión directa Vf | 2.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Altura | 5.1mm | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 119A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado Hip-247 | ||
Serie SCTWA90N65G2V-4 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 24mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 656W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 157nC | ||
Tensión directa Vf 2.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Altura 5.1mm | ||
Longitud 15.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
High speed switching performance
Very high operating junction temperature capability
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency