MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal STW68N65DM6-4AG, VDSS 650 V, ID 72 A, TO-247-4 de 4 pines

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Código RS:
210-8749P
Referência do fabricante:
STW68N65DM6-4AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

72A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247-4

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

39mΩ

El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión de STMicroelectronics forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida Mesh DM6. En comparación con la generación rápida de malla anterior, el DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), un tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más efectivos disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de desplazamiento de fase ZVS.

Diseñado para aplicaciones de automoción

Diodo de cuerpo de recuperación rápida

RDS(on) inferior por área en comparación con la generación anterior

Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia

100 % a prueba de avalancha

Robustez dv/dt muy alta

Excelente rendimiento de conmutación gracias al contacto de fuente de accionamiento adicional

Protegido por Zener