MOSFET STMicroelectronics, N-Canal STW68N65DM6-4AG, VDSS 650 V, ID 72 A, TO-247-4 de 4 pines
- Código RS:
- 210-8749
- Referência do fabricante:
- STW68N65DM6-4AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 210-8749
- Referência do fabricante:
- STW68N65DM6-4AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 650 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 72 A | |
| Encapsulado | TO-247-4 | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 39 mΩ | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 650 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 72 A | ||
Encapsulado TO-247-4 | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 39 mΩ | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the Mesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous Mesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies andZVS phase-shift converters.
Designed for automotive applications
Fast-recovery body diode
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate charge, input capacitance and resistance
100% avalanche tested
Extremely high dv/dt ruggedness
Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin
Zener-protected
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