MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJA66EP-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 75 A, Mejora, SO-8 de 4 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
210-5051
Referência do fabricante:
SQJA66EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

75A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SO-8

Serie

SQJA66EP_RC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

64.9nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

6.25 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Vishay N Channel MOSFET tiene tipo de encapsulado POWERPAK SO-8L.

Valores R-C para el circuito eléctrico en el sistema de alimentación/depósito y. se incluyen configuraciones de cauer/filtro

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