MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STO67N60DM6, VDSS 600 V, ID 33 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 206-8631
- Referência do fabricante:
- STO67N60DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Especificações
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Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 33A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | STO67N60DM6 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 59mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 72.5nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 9.8 mm | |
| Longitud | 11.48mm | |
| Altura | 2.2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 33A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie STO67N60DM6 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 59mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 72.5nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 9.8 mm | ||
Longitud 11.48mm | ||
Altura 2.2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
STMicroelectronics de potencia de canal N de alta tensión forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y convertidores de cambio de fase ZVS.
Diodo de cuerpo de recuperación rápida
Menor RDS(on) por área frente a la generación anterior
Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia
100 % a prueba de avalancha
Resistencia dv/dt extremadamente alta
Protección Zener
Excelente rendimiento de conmutación gracias al contacto fuente de accionamiento adicional
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