MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 100 V, ID 20.1 kA, Mejora, PowerDI5060 de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

2 520,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 2500 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
2500 +1,008 €2 520,00 €

*preço indicativo

Código RS:
206-0158
Referência do fabricante:
DMTH10H4M5LPS-13
Fabricante:
DiodesZetex
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

DiodesZetex

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

20.1kA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PowerDI5060

Serie

DMTH10

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Disipación de potencia máxima Pd

2.7W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

5.15mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.15mm

Altura

0.9mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET DiodesZetex 100V de modo de mejora de canal N de 8 contactos está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión y mantener un rendimiento de conmutación superior, este dispositivo es ideal para usar en gestión de alimentación de batería de portátil e interruptor de carga. Su tensión de fuente de puerta es de 20V con disipación de potencia térmica de 2,7 W.

Baja resistencia

Velocidad de conmutación rápida

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.