MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 33 A, PowerDI5060, Mejora de 8 pines, 1, config. Doble
- Código RS:
- 206-0096
- Referência do fabricante:
- DMNH6035SPDW-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 206-0096
- Referência do fabricante:
- DMNH6035SPDW-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 33A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | DMNH6035 | |
| Encapsulado | PowerDI5060 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 44mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.75V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 68W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Altura | 1.05mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 4.9mm | |
| Anchura | 5.8 mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | |
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|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 33A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie DMNH6035 | ||
Encapsulado PowerDI5060 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 44mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.75V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 68W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Altura 1.05mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 4.9mm | ||
Anchura 5.8 mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET DiodesZetex 60V de modo de mejora de canal N está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Su tensión de fuente de puerta es de 20 V con disipación de potencia térmica de 2,4 W.
El valor nominal de +175 °C es ideal para entornos de alta temperatura ambiente
QG bajo: Minimiza las pérdidas de conmutación
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