MOSFET y Diodo, N-Canal onsemi NTBG160N120SC1, VDSS 1.2 kV, ID 19.5 A, Mejora, TO-263 de 7 pines

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Código RS:
205-2493
Referência do fabricante:
NTBG160N120SC1
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Corriente continua máxima de drenaje ld

19.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1.2kV

Serie

NTB

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

225mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

33.8nC

Tensión directa Vf

3.9V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

136W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

15.1mm

Anchura

9.7mm

Certificaciones y estándares

Pb-Free, RoHS

Altura

4.3mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 160 mohm, 1.200 V, M1, D2PAK-7L MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 160 mohm, 1.200 V, M1, D2PAK-7L


El MOSFET 1200V de canal N de SiC DE ON Semiconductor utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia DE ENCENDIDO y el tamaño de chip compacto garantizan una baja capacitancia y carga de puerta. Por consiguiente, las ventajas del sistema incluyen la mayor eficiencia, la frecuencia de funcionamiento faster, la mayor densidad de potencia, la reducción de EMI y el menor tamaño del sistema.

La corriente nominal de drenaje continuo es de 19,5 A.

El valor nominal de resistencia de drenaje a fuente es 224mohm

Carga de compuerta ultrabaja

Conmutación de alta velocidad y baja capacitancia

Prueba de avalancha al 100 %

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