MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 150 V, ID 61 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 205-2428
- Referência do fabricante:
- NTMFS015N15MC
- Fabricante:
- onsemi
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- 205-2428
- Referência do fabricante:
- NTMFS015N15MC
- Fabricante:
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 61A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 14mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 108.7W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 27nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.9mm | |
| Longitud | 5.9mm | |
| Anchura | 4.9 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 61A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 14mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 108.7W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 27nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.9mm | ||
Longitud 5.9mm | ||
Anchura 4.9 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal N 150V Power Trench de ON Semiconductor se fabrica mediante un proceso Advanced que incorpora tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de conexión a la vez que se conserva un rendimiento de conmutación superior con el mejor diodo de cuerpo suave de su categoría.
La corriente de drenaje máxima nominal es de 61A
El valor nominal de resistencia de drenaje a fuente es 14mohm
Tamaño pequeño (5mm x 6mm) para diseño compacto
Baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción
QG bajo y capacitancia para minimizar las pérdidas de controlador
100% sometido a pruebas UIL
El encapsulado es Power 56 (PQFN8)
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