MOSFET onsemi, N-Canal NTMFS011N15MC, VDSS 150 V, ID 35 A, Mejora de 8 pines
- Código RS:
- 205-2427P
- Referência do fabricante:
- NTMFS011N15MC
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 205-2427P
- Referência do fabricante:
- NTMFS011N15MC
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 35A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 35A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
El MOSFET MV de canal N de 150 V de la serie ON Semiconductor Power Trench se produce con Advanced proceso que incorpora tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia en estado activo y, sin embargo, mantener un rendimiento de conmutación superior con el mejor diodo de cuerpo suave de su clase.
Máx. rDS(on) = 11,5 mohm en VGS es 10 V, ID es 35 A
Baja pérdida de conducción
El rDS(on) máx. es de 13,2 mohm en VGS es de 8 V, ID es de 18 A
Qrr un 50% inferior a otros proveedores de mosfet
Reduce el ruido de conmutación /EMI
Diseño de encapsulado robusto MSL1
100% probado por UIL